Установка для травления кремния Applied Centura AdvantEdge Mesa обеспечивает точность травления узкощелевой изоляции, битовых линий, числовых шин и двойных шаблонов при 32-нм и ниже на уровне ангстрема. Использование нового, технически усовершенствованного индуктивно связанного плазменного (ICP) источника повышает единообразие, устраняет присущие ICP кольцевые характеристики силовой связи. Максимальная обрабатываемая ширина процесса может быть достигнута путем управления характеристиками плазмы от центра к краям.

Установка AdvantEdge Mesa обладает неравномерностью глубины травления менее 1% к краям пластины, критический допуск на размер элементов<1нм 3σ и самую высокую доступную скорость обработки пластин при уменьшенных вдвое производственных расходах.

Технология Pulsync повышает эффективность синхронных плазменных пульсаций для расширенного плазменного контроля плотности нейтральных частиц и ионов. Данная технология существенно снижает микронагрузку, что позволяет формировать структуру и производить кремниевое травление на узлах 3-нм и более. Технология Pulsync обеспечивает обогащенную радикалами с низкой температурой электронов, плазму, которая минимизирует ущерб от ультрафиолетового излучения и накопления заряда для травления контактных площадок.

Улучшенная система управления электростатическим держателем установки обеспечивает качественную регулировку равномерности температуры на краях пластины для увеличения количества площадок для матриц на пластине.